다이오드 - 변수 용량 (Varicaps, Varactors)
- 분리 반도체 제품
- 다이오드 - RF
- 다이오드 - 변수 용량 (Varicaps, Varactors)
- 다이오드 - 제너 배열
- 전력 드라이버 모듈
- 시리스터 - DIACs, SIDACs
- 시리스터 - SCR - 모듈
- 시리스터 - SCRs
- 시리스터 - TRIAC
- 트랜지스터 - 양극 (BJT) - 배열, 사전 편견
- 트랜지스터 - 양극 (BJT) - 배열
- 트랜지스터 - 양극 (BJT) - RF
- 트랜지스터 - 양극 (BJT) - 단일, 사전 편견
- 트랜지스터 - FET, MOSFET - 배열
- 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF
- 트랜지스터 - IGBT - 배열
- 트랜지스터 - IGBT - 모듈
- 트랜지스터 - IGBT - 싱글
- 트랜지스터 - JFET
- 다이오드 - 정류기 - 다이오드 배열
- 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF FET, MOSFET
- 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 FET, MOSFET
- 트랜지스터 - IGBT - 단일 IGBT
- 트랜지스터 - IGBTsIGBT 모듈
- 다이오드 - 브리지 정류기
- 다이오드 - 정류기 - 단일 다이오드
- 다이오드 - RF 다이오드
- 다이오드 - 제너 - 단일 제너 다이오드
- 다이오드 - Zener - Zener 다이오드 배열
- 트랜지스터 - 양극 (BJT) - 양극 RF 트랜지스터
- 트랜지스터 - 양극 (BJT) - 양극 트랜지스터 배열, 사전 편..
- 트랜지스터 - 양극 (BJT) - 양극 트랜지스터 배열
- 트랜지스터 - 양극 (BJT) - 단일 양극 트랜지스터
- 트랜지스터 - 양극 (BJT) - 단일, 사전 편견 양극 트랜지스..
- 트랜지스터 - FET, MOSFET - FET, MOSFET 배열
- 트랜지스터 - IGBT - IGBT 모듈
- Current Regulation - Diodes, Transis..
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- Diodes - Rectifiers - Single
- Diodes - Zener - Single
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Transistors - Special Purpose
- Transistors - Programmable Unijuncti..
- 재활용>>
-
1SV325,H3F
Toshiba Semiconducto..
-
1SV281(TPH3,F)
Toshiba Semiconducto..
-
1SV323,H3F
Toshiba Semiconducto..
-
1SV280,H3F
Toshiba Semiconducto..
-
1SV305,L3F
Toshiba Semiconducto..
-
BBY6602VH6327XTSA..
Infineon Technologie..
-
ZV952V2TA
Diodes Incorporated
-
MMBV809LT1G
onsemi
-
MMBV609LT1G
onsemi
-
MMBV2109LT1G
onsemi
-
MMBV2105LT1G
onsemi
-
MMBV2101LT1G
onsemi
-
BBY5702VH6327XTSA..
Infineon Technologie..
-
BBY6502VH6327XTSA..
Infineon Technologie..
-
BBY5802VH6327XTSA..
Infineon Technologie..
-
BBY53-03WE6327HTS..
Infineon Technologie..
-
SVC710-TL-E
onsemi
-
BB659C02VH7912XTS..
Infineon Technologie..
-
SVC236-TB-E
onsemi
-
BB545E7904HTSA1
Infineon Technologie..