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FDS5351
MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
- 제조업체
- Mfr.부분 #FDS5351
- 패키지 SOIC-8
- 데이터시트 FDS5351 DataSheet
- 재고 있음5987
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사양
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | PowerTrench® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 6.1A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 35mOhm @ 6.1A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1310 pF @ 30 V |
| PowerDissipation(Max) | 5W (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | 8-SOIC |
개요
Description
Features
1. Dual Configuration: It contains two N-channel MOSFETs in a single package, enabling space-efficient designs.
2. Low On-Resistance (RDS(on)): Provides efficient power handling with minimal conduction losses, enhancing thermal performance.
3. High Speed: Suitable for fast switching applications, making it ideal for DC-DC converters and power management circuits.
4. Wide Voltage Range: Operates within a broad range of drain-source voltages, accommodating various input conditions.
5. Compact Package: Available in an easy-to-mount package, optimizing PCB space.
6. Thermal Characteristics: Designed to manage heat effectively, promoting reliability in high-performance applications.
7. Low Gate Charge (Qg): Contributes to quicker turn-on and turn-off times, improving overall efficiency.
These features make the FDS5351 an excellent choice for automotive, telecommunications, and industrial applications requiring efficient power control.
Package
Pinout
1. Gate1 (G1): Controls the first N-channel MOSFET.
2. Drain1 (D1): The drain terminal of the first MOSFET.
3. Source1 (S1): The source terminal of the first MOSFET.
4. Gate2 (G2): Controls the second N-channel MOSFET.
5. Drain2 (D2): The drain terminal of the second MOSFET.
6. Source2 (S2): The source terminal of the second MOSFET.
7. D1/S1: Common terminal for drain and source of the first MOSFET.
8. D2/S2: Common terminal for drain and source of the second MOSFET.
The FDS5351 is primarily used in power management applications, offering low RDS(on) for efficient switching and minimal heat generation.
Manufacturer
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