이미지는 참조용만
FDS6930B
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
- 제조업체
- Mfr.부분 #FDS6930B
- 패키지 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 데이터시트 FDS6930B DataSheet
- 재고 있음8491
100% 원래 &새로운
배송 준비 24 시간
365 일 보장
RFQ 및더 많은 할인
사양
| Supplier | onsemi,Rochester Electronics, LLC |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | PowerTrench® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 5.5A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 38mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 3.8nC @ 5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 412pF @ 15V |
| Power-Max | 900mW |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
개요
Description
Features
1. Low On-Resistance: Ensures minimal power loss during operation, enhancing efficiency.
2. High-Speed Switching: Provides fast switching capabilities, suitable for applications like DC-DC converters and load switches.
3. Voltage Rating: Typically supports a drain-source voltage of up to 30V, making it versatile for various low-voltage applications.
4. Compact Package: Often available in a surface-mount package (e.g., SO-8), facilitating space-saving designs.
5. Thermal Performance: Designed to handle significant power dissipation, improving reliability in demanding environments.
6. Low Gate Charge: Offers reduced drive power for lower heat generation in the gate drive circuit.
These features make the FDS6930B ideal for consumer electronics, automotive systems, and other electronic devices requiring efficient power switching.
Package
Pinout
1. Gate1 (G1) - Controls the first N-channel MOSFET.
2. Drain1 (D1) - Drain terminal for the first N-channel MOSFET.
3. Source1 (S1) - Source terminal for the first N-channel MOSFET.
4. Source2 (S2) - Source terminal for the second N-channel MOSFET.
5. Drain2 (D2) - Drain terminal for the second N-channel MOSFET.
6. Gate2 (G2) - Controls the second N-channel MOSFET.
7. Drain1 (D1) - Duplicate pin for the first MOSFET's Drain.
8. Source2 (S2) - Duplicate pin for the second MOSFET's Source.
The FDS6930B is commonly used in applications such as power management, electronic switching, and load driving due to its fast switching speeds and low on-resistance.
Manufacturer
Application
Equivalent
배송
배송 방법We
DHL, FedEx, TNT, UPS 또는 선택한 다른 운송업체를 통해 글로벌 배송 서비스를 제공합니다.
배송 요금 참조 (DHL/FedEx):
DHL은: 배송 비용은 $25-$45 (0.5kg)에서 2-5 영업일의 추정적 배달 시간이 있습니다.
FedEx는: 배송 비용은 $25-$40 (0.5kg)에서 3-7 영업일의 추정적 배달 시간을 가지고 있습니다.
UPS는: 배송 비용은 $25-$45 (0.5kg)에서 3-7 영업일의 추정적 배달 시간을 가지고 있습니다.
TNT는: 배송 비용은 $25-$65 (0.5kg)에서 3-7 영업일의 추정적 배달 시간을 가지고 있습니다.
EMS는: 배송 비용은 $30-$50 (0.5kg)에서 7-15 영업일의 추정적 배달 시간을 제공합니다.
등록된 항공우편: 배송 비용은 $2-$4 (0.1kg), 예상 배달 시간 5-20 영업일.
지불
Payment Methods
지불 기간은 100% 사전 지불입니다.
현재, 우리는 아래 지불 방법만 받아들입니다.:
1. PayPal
2. 신용/직불 카드
3. 전선 전송
비슷한
-
MX25R8035FM1IL0
Macronix
-
MX25L3233FZBI-08Q
Macronix
-
MX25V1635FZNQ03
Macronix
-
MX29F400CBTI-70G
Macronix
-
MX25V16066M2I02
Macronix
-
MX30LF2G28AD-TI
Macronix
-
MX25L8035EM2I-10G
Macronix
-
MX25L25673GMI-08G
Macronix
-
MX25L6433FM2I-08G
Macronix
-
MX25L12833FZ2I-10..
Macronix
-
MX25U25645GXDI00
Macronix
-
MX25L12835FZ2I-10..
Macronix