GT30N135SRA,S1E

이미지는 참조용만

GT30N135SRA,S1E

D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A

  • 제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
  • Mfr.부분 #GT30N135SRA,S1E
  • 패키지 TO-247
  • 데이터시트
  • 재고 있음46

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사양

Package Tube
ProductStatus Active
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 1350 V
Current-Collector(Ic)(Max) 60 A
Current-CollectorPulsed(Icm) 120 A
Vce(on)(Max)@VgeIc 2.6V @ 15V, 60A
Power-Max 348 W
SwitchingEnergy -, 1.3mJ (off)
InputType Standard
GateCharge 270 nC
TestCondition 300V, 60A, 39Ohm, 15V
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
Package/Case TO-247-3

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