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IRF5851TRPBF

MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP

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사양

Series	HEXFET®
Part Status	Obsolete
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.7A, 2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 15V
Power - Max	960mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package	6-TSOP
Base Product Number	IRF58
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V

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