MSCSM120AM31TBL1NG

이미지는 참조용만

MSCSM120AM31TBL1NG

PM-MOSFET-SIC-BL1

  • 제조업체Microchip Technology
  • Mfr.부분 #MSCSM120AM31TBL1NG
  • 패키지 Module
  • 데이터시트
  • 재고 있음9082

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사양

Package Bulk
ProductStatus Active
FETType 2 N Channel (Phase Leg)
FETFeature Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 79A
RdsOn(Max)@IdVgs 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 2.8V @ 3mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 232nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3020pF @ 1000V
Power-Max 310W
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
Package/Case Module

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