P3M06060T3

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P3M06060T3

SICFET N-CH 650V 46A TO220-3

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사양

Supplier PN Junction Semiconductor
Package Tube
Series P3M
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 46A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V
RdsOn(Max)@IdVgs 79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 20mA (Typ)
Vgs(Max) +20V, -8V
PowerDissipation(Max) 170W
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220-2L

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