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SI9926CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
- 제조업체Vishay Siliconix
- Mfr.부분 #SI9926CDY-T1-GE3
- 패키지
- 데이터시트 SI9926CDY-T1-GE3 DataSheet
- 재고 있음8061
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사양
Series | TrenchFET® |
Part Status | Active |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
Power - Max | 3.1W |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Base Product Number | SI9926 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8.3A, 4.5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
배송
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